• 
  遠藤 哲郎教授
• 
  大野 英男教授
• 
  池田 正二教授

　本研究テーマでは、スピントロニクス技術とシリコンCMOS技術の融合によるSTT-MRAMとその製造を、産学が連携して開発しています。これにより、飛躍的な省エネルギーシステムを実現する不揮発性ワーキングメモリの実用化を促進し、低炭素・省エネルギー社会の実現に貢献します。具体的には、以下の技術を一貫して開発しています。

1. MTJ材料・デバイス技術
   CMOS 集積回路と親和性の高いスピントロニクス素子である磁気トンネル接合（MTJ）素子の高性能化に向けた材料・ デバイス・物理解析技術の開発。
2. STT-MRAMの製造技術
   STT-MRAM 製造のための300mmウェハを用いたユニットプロセス技術・プロセスインテグレーション技術の開発。
3. 回路・設計・計測技術
   スタンドアロンメモリや論理集積回路向け混載メモリとしてのSTT-MRAMの回路・設計・計測技術の開発。