CIESコンソーシアム
国家プロジェクトNEDO 戦略的省エネルギー技術革新プログラム
GaN（窒化ガリウム）双方向電力変換器の研究開発
遠藤 哲郎教授
本テーマでは、新エネルギー・産業技術総合開発機構（NEDO）の戦略的省エネルギー技術革新プログラムにおける「GaN（窒化ガリウム）双方向電力変換器の研究開発」（PL:パナソニック）で開発中のGaN on Siデバイスの高耐圧化技術の開発（共同研究代表者: 遠藤哲郎）に取り組んでいます。近年、求められる省エネには、インバーターやコンバータといった電力変換回路の高効率化が非常に重要です。しかし、既存のSiデバイスでは、その材料物性から変換効率の限界が近づいており、このSiを凌駕する材料物性を持つGaNでの高効率駆動実現に大きな期待が持たれています。本研究開発により、低損失なGaN双方向電力変換デバイスを実現し、電力変換機器の低損失化・省エネルギー化に向けた実用化技術の確立を目指しています。
GaN on Siデバイスの基盤技術
GaN on Si技術による双方向電力変換器の応用事例とその利点
